Le stockage interne d'un smartphone, c'est souvent la composante que l'on oublie dans les fiches techniques, happé par les chiffres du processeur ou de l'écran. Et pourtant, c'est lui qui détermine la fluidité réelle des applications d'IA tournant directement sur l'appareil. Samsung vient de rappeler ce détail avec fracas en annonçant l'UFS 5.0, premier standard de sa génération à franchir la barre des 10 Go/s.
Des chiffres qui donnent le vertige (et c'est justifié)
Le standard UFS 4.1, équipant aujourd'hui les meilleurs flagships Android, plafonne à environ 4 300 Mo/s en lecture séquentielle et 4 100 Mo/s en écriture. L'UFS 5.0 explose ces plafonds : 10,8 Go/s en lecture et 9,5 Go/s en écriture, soit plus du double dans les deux cas. C'est pas moins d'un bond générationnel complet en une seule itération.
| Standard | Lecture séq. max | Écriture séq. max | Efficacité énergétique |
|---|---|---|---|
| UFS 4.1 | 4,3 Go/s | 4,1 Go/s | Référence |
| UFS 5.0 | 10,8 Go/s | 9,5 Go/s | +40 % vs UFS 4.1 |
Ces performances reposent sur le dernier standard d'interface embarquée défini par le JEDEC, l'organisme qui établit les normes mémoire de l'industrie. Samsung a par ailleurs réduit la consommation électrique de plus de 40 % par rapport à l'UFS 4.1, grâce à deux techniques combinées : le clock gating (coupure sélective des signaux d'horloge quand le stockage est inactif) et l'alimentation multi-niveaux. En clair, transférer la même quantité de données coûte bien moins d'énergie, ce qui préserve l'autonomie malgré des workloads locaux bien plus gourmands.
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Le format physique du chip a lui aussi rapetissé : 7,5 mm x 13 mm x 0,9 mm, soit 16,7 % plus compact que la génération précédente. Un gain de volume utile qui compte double dans les montres connectées et les casques XR, où chaque millimètre est disputé. La capacité maximale supportée atteint 1 To.
L'IA on-device, vrai moteur de cette révolution du stockage
Jangseok Choi, responsable de la planification produit mémoire chez Samsung, résume bien le contexte : « Dans l'ère de l'IA on-device, les solutions de stockage évoluent pour devenir un facteur clé définissant les expériences IA. » Ce n'est pas une formule marketing vide. Les grands modèles de langage (LLM) qui tournent localement sur un smartphone, comme ceux intégrés dans les assistants génératifs, ont besoin d'alimenter en permanence leur moteur d'inférence avec des paquets de données massifs. Un stockage lent crée une latence perceptible, là où un débit de 10 Go/s permet de charger les paramètres du modèle quasi instantanément.

D'ailleurs, cette évolution s'inscrit dans une tendance lourde : l'IA générative migre progressivement du cloud vers l'appareil lui-même, pour des raisons de confidentialité, de disponibilité hors ligne et de latence. Le stockage n'est plus un simple tiroir à fichiers, il devient une infrastructure active de calcul. De quoi relire entièrement les priorités d'un concepteur de smartphone.
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Côté calendrier, Samsung a confirmé un lancement en production de masse au T4 2026. Le premier appareil à en bénéficier? La marque n'a officiellement confirmé aucun produit. Cela dit, la fenêtre de production coïncide précisément avec le cycle de développement du Galaxy S27, attendu début 2027. Le leaker Ice Universe a par ailleurs indiqué que l'Exynos 2700 supportera nativement l'UFS 5.0, ce qui renforce l'hypothèse, sans la confirmer. Les flagships attendus à la rentrée 2026, eux, arriveront trop tôt pour en profiter.
Attention tout de même : Samsung prévoit de déployer l'UFS 5.0 bien au-delà des seuls smartphones, vers les wearables et les appareils XR. Reste à voir si les autres constructeurs, notamment Qualcomm du côté des Snapdragon, certifieront rapidement leurs prochains SoC pour exploiter pleinement ce standard. Sans compatibilité processeur, les 10,8 Go/s théoriques resteraient sur le papier.
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